Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252
-
Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары “светодиодная матрица–широкополосный фотодиод” среднего ИК диапазона (1.6–2.4 $\mu$m)
ЖТФ, 80:2 (2010), 99–104
-
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)
Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010), 278–284
-
Перестройка чaстоты генерации лазера работающего на модах шепчущей галереи на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры, обусловленная нелинейными оптическими эффектами
Письма в ЖТФ, 36:8 (2010), 7–13
-
Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)
Письма в ЖТФ, 36:1 (2010), 105–110
© , 2026