Романов Иван Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  240–246
2. Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1391–1395