Palmour John Williams

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248
2. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130
3. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239
4. Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673
5. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414
6. Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  302–309
7. Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  118–123
8. Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1224–1229
9. Генерация донорного центра в высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодах под действием прямого тока
   
   Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  45–50
10. Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока
    
    Письма в ЖТФ, 37:8 (2011),  7–12