Вирко Максим Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1235–1242
2. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
3. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
4. Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  847–855