Вороненков Владислав Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1235–1242
2. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
3. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
4. Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  129–136
5. Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока
   
   Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1054–1062
6. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  822–828