Парнес Яков Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402
2. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
3. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
4. Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  1–8
5. Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79
6. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
   
   Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86