RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Новицкий С В
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
Письма в ЖТФ
,
42
:12 (2016),
82–87
Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB
$_x$
–Ge–Au–
$n$
–
$n^+$
–
$n^{++}$
-GaAs(InP)
Физика и техника полупроводников
,
46
:4 (2012),
558–561
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A
$^{\mathrm{III}}$
B
$^{\mathrm{V}}$
с высокой плотностью дислокаций
Физика и техника полупроводников
,
46
:3 (2012),
348–355
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением
$\gamma$
-квантами
$^{60}$
Co
Физика и техника полупроводников
,
44
:12 (2010),
1607–1614
©
МИАН
, 2026