Шеремет Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
   
   Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87
2. Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482
3. Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1344–1347
4. Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  509–513
5. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
6. К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431
7. Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  558–561
8. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355
9. Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению
   
   Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  344–347
10. Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением $\gamma$-квантами $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1607–1614
11. Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n^+$–$n$–$n^+$-GaN–Al$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  775–781
12. Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых $\gamma$-облучению $^{60}$Co
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  467–475