RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гисматулин Андрей Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Природа дефектов, ответственных за красный сдвиг края фундаментального поглощения и увеличение показателя преломления облученного Si$_3$N$_4$

    Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2117–2122
  2. Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeO$_x$]$_{(z)}$[SiO$_2$]$_{(1-z)}$ (0.25 $\le z\le1$)/$n^+$-Si

    Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  363–369
  3. Octafluorobiphenyl-4,4'-diyl 9-oxothioxanthene-1,4-diyl polyether – a promising material for organic film based memristors: synthesis, memristive effect and charge transport mechanism

    Mendeleev Commun., 34:5 (2024),  667–669
  4. Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания

    Письма в ЖТФ, 42:11 (2016),  73–81


© МИАН, 2026