RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кондратов Матвей Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Буферные структуры GaAs/Si, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  48–52
  2. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
  3. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер

    Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
  4. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
  5. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой

    Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
  6. Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  693–699
  7. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
  8. Люминесценция в $p$$i$$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673
  9. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов

    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5


© МИАН, 2026