|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Буферные структуры GaAs/Si, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Письма в ЖТФ, 52:7 (2026), 48–52
-
Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 629–634
-
Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер
Письма в ЖТФ, 51:16 (2025), 21–25
-
Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ
Письма в ЖТФ, 51:11 (2025), 7–10
-
Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
Письма в ЖТФ, 50:4 (2024), 43–46
-
Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 693–699
-
Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 678–683
-
Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 663–673
-
Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
Квантовая электроника, 53:1 (2023), 1–5
© , 2026