Шушканов Илья Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
2. Оптимизация дизайна гетероструктуры InGaAsP/InP мощных лазерных диодов, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  171–178
3. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
4. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
5. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
6. Анализ механизмов насыщения мощных импульсных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 55:3 (2025),  141–145
7. Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  703–708
8. Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  165–170
9. Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  161–164
10. Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  96–105
11. Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
    
    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  42–48
12. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
    
    Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
13. Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
    
    Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223
14. Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  693–699
15. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
16. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
    
    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
17. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
    
    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5