|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эпитаксиальное выращивание тонких пленок Ca$_{1-x}$Ba$_x$F$_2$ на Si(111) и исследование электрофизических характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник на их основе
Письма в ЖТФ, 51:22 (2025), 26–30
-
Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре
Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 326–332
-
Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)
Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 272–277
-
Мощный полупроводниковый обостритель импульсов с субнаносекундным быстродействием
ЖТФ, 87:5 (2017), 793–796
-
Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния
Письма в ЖТФ, 40:23 (2014), 67–73
-
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1135–1139
-
Выращивание монокристаллов твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_x$(0 $<x<$ 0.35) и исследование их свойств
Письма в ЖТФ, 36:3 (2010), 45–52
© , 2026