Николичев Дмитрий Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние высокотемпературного отжига на физико-химические свойства систем на основе FeSi$_x$
   
   Физика твердого тела, 65:3 (2023),  509–512
2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
3. Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу
   
   Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1183–1191
4. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
5. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  274–278
6. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
7. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
   
   ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
8. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  839–844
9. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода
   
   Физика твердого тела, 54:2 (2012),  370–377
10. Формирование и “белая” фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO$_x$, имплантированных ионами углерода
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1498–1503