Ризаев Артем Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
2. Оптимизация дизайна гетероструктуры InGaAsP/InP мощных лазерных диодов, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  171–178
3. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
4. Анализ механизмов насыщения мощных импульсных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 55:3 (2025),  141–145
5. Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  703–708
6. Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  42–48
7. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
8. Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  693–699
9. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
10. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
    
    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5
11. Селекция мод латерального волновода для реализации одномодового режима работы лазеров с распределенным брэгговским зеркалом
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  889–894