Суровегина Екатерина Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1321–1325
2. Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1538–1542
3. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
   
   Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
4. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
5. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462