RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Антонов Валентин Андреевич
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Термостабильный сегнетоэлектрик HfO
$_2$
: Al
$_2$
O
$_3$
(10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением
Письма в ЖЭТФ
,
121
:12 (2025),
945–951
Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния
Физика и техника полупроводников
,
52
:10 (2018),
1220–1227
Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе
Физика и техника полупроводников
,
45
:8 (2011),
1121–1125
©
МИАН
, 2026