RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Антонов Валентин Андреевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Термостабильный сегнетоэлектрик HfO$_2$ : Al$_2$O$_3$ (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением

    Письма в ЖЭТФ, 121:12 (2025),  945–951
  2. Положительный заряд в КНС-гетероструктурах с межслойным оксидом кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1220–1227
  3. Анодное окисление нанометровых слоев Si в структурах кремний-на-изоляторе

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1121–1125


© МИАН, 2026