Кириченко М В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1081–1093
2. Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  821–829
3. Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  348–357
4. Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  219–229
5. Фазовые превращения при металлизации Ag–In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  845–853
6. Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на кпд пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1564–1570
7. Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей
   
   Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  801–806