Любов В Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1081–1093
2. Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
   
   Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  821–829
3. Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  348–357
4. Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  357–368
5. Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  219–229
6. Электроосажденные массивы оксида цинка с эффектом глаза ночной бабочки
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  549–555
7. Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  539–548
8. Перспективы импульсного электроосаждения иерархических наноструктур оксида цинка
   
   Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1129–1136
9. Фазовые превращения при металлизации Ag–In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  845–853
10. Управляемый рост одномерных наноструктур оксида цинка в режиме импульсного электролиза
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  845–851