Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электронные процессы в кристаллах CdIn$_{2}$Te$_{4}$
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 840–843
-
Примесные уровни в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1085–1087
-
Поведение примеси железа в кристаллах Hg$_3$In$_2$Te$_6$
Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 913–915
-
Влияние отклонений от стехиометрии на электрические и фотоэлектрические свойства соединения Hg$_3$In$_2$Te$_6$
Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1307–1310
-
Электрические и оптические свойства кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$, легированных марганцем
Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1153–1156
-
Влияние облучения электронами на электрофизические параметры Hg$_3$In$_2$Te$_6$
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 327–329
-
Проводимость кристаллов Hg$_3$In$_2$Te$_6$ в сильных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 50–52
© , 2026