Лаврухин Денис Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  42–44
2. Повышение эффективности лазерного возбуждения оптоэлектронного терагерцевого источника при помощи массива ближнепольных сапфировых микролинз
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  46–48
3. Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024),  105–110
4. Снижение шума фотопроводящей терагерцевой антенны-детектора на основе упругонапряженной сверхрешеточной InAlAs/InGaAs-гетероструктуры
   
   Письма в ЖТФ, 50:8 (2024),  12–14
5. Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе
   
   Квантовая электроника, 54:1 (2024),  43–50
6. Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации
   
   УФН, 194:1 (2024),  2–22
7. Локализация энергии лазерного излучения в оптико-терагерцевом преобразователе ультракоротких ИК-импульсов при помощи профилированных сапфировых волокон
   
   Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  11–13
8. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах
   
   Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021),  741–746
9. Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ
   
   Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1012–1019
10. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
11. Терагерцовый микроскоп на основе эффекта твердотельной иммерсии для визуализации биологических тканей
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  642–649
12. Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1267–1272
13. Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  567–573
14. Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  195–203
15. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190
16. Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1254–1257
17. Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1243–1253
18. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935
19. Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  241–248
20. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  909–916
21. Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  658–666
22. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76