RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Иванова Мария Михайловна
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
Физика и техника полупроводников
,
52
:6 (2018),
651–655
Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
Физика и техника полупроводников
,
49
:10 (2015),
1411–1414
Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
Физика и техника полупроводников
,
49
:3 (2015),
399–405
©
МИАН
, 2026