Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 581–585
-
Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs
Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433
-
Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия
Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700
-
Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния
Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 553–556
-
Ионно-лучевая кристаллизация наноструктур InAs/GaAs(001)
Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 102–110
-
Особенности формирования многослойных наноструктур Ge/Si при ионно-лучевой кристаллизации
Письма в ЖТФ, 39:16 (2013), 30–37
-
Получение и использование позиционных меток в сканирующей зондовой микроскопии
Письма в ЖТФ, 36:16 (2010), 1–5
© , 2026