|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si
Письма в ЖТФ, 52:3 (2026), 11–15
-
Измерение уровня легирования нитевидных нанокристаллов с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния
Физика твердого тела, 67:3 (2025), 460–463
-
Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния
Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 7–10
-
Тонкие пленки гексаферрита BaM (BaFe$_{12}$O$_{19}$) на подложках Al$_2$O$_3$(01–12): кристаллическая структура и магнитные свойства
Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024), 1123–1126
-
Моделирование генерации второй гармоники в наночастицах Si
Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 464–466
-
Формирование островков и нитевидных нанокристаллов на коротких затравках InAs при эпитаксиальном росте InAs$_{1-x}$N$_x$ на кремнии
Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 7–10
-
Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками
Письма в ЖТФ, 48:18 (2022), 6–9
-
Механизм роста монослоя на верхней грани Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP
Письма в ЖТФ, 48:4 (2022), 20–23
-
Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential
Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 475
-
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 675–683
-
Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя
Письма в ЖТФ, 39:19 (2013), 76–85
-
Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники
Письма в ЖТФ, 36:9 (2010), 26–33
© , 2026