RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Федоров Владимир Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si

    Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  11–15
  2. Измерение уровня легирования нитевидных нанокристаллов с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния

    Физика твердого тела, 67:3 (2025),  460–463
  3. Влияние буферного слоя на характеристики слоев GaPN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремния

    Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  7–10
  4. Тонкие пленки гексаферрита BaM (BaFe$_{12}$O$_{19}$) на подложках Al$_2$O$_3$(01–12): кристаллическая структура и магнитные свойства

    Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1123–1126
  5. Моделирование генерации второй гармоники в наночастицах Si

    Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  464–466
  6. Формирование островков и нитевидных нанокристаллов на коротких затравках InAs при эпитаксиальном росте InAs$_{1-x}$N$_x$ на кремнии

    Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  7–10
  7. Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками

    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  6–9
  8. Механизм роста монослоя на верхней грани Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  20–23
  9. Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  475
  10. Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  675–683
  11. Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя

    Письма в ЖТФ, 39:19 (2013),  76–85
  12. Характеристики тонких барьерных слоев фторида кальция для полевых транзисторов и приборов функциональной электроники

    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  26–33


© МИАН, 2026