Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании $n$-ZrNiSn акцепторной примесью Ga
Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 311–321
-
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 147–153
-
Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 877–885
-
Механизм генерирования структурных дефектов и особенности зонной структуры полупроводника HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn
Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1009–1015
-
Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Lu
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 299–306
© , 2026