Rogl Peter F

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании $n$-ZrNiSn акцепторной примесью Ga
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  311–321
2. Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Y
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  147–153
3. Особенности механизмов проводимости сильно легированного и компенсированного полупроводника V$_{1-x}$Ti$_{x}$FeSb
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  877–885
4. Механизм генерирования структурных дефектов и особенности зонной структуры полупроводника HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1009–1015
5. Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Lu
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  299–306
6. Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного Ru
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1585–1591
7. Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1157–1164
8. Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  882–889
9. Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co
   
   Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1130–1137
10. Особенности проводимости интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированного донорной примесью Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  910–917
11. Особенности механизма “априорного” сильного легирования интерметаллического полупроводника $n$-TiNiSn
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  879–885