Grasser Tibor

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  272–277
2. Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  27–30
3. О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1631–1635
4. Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1177–1182
5. Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  254–259
6. Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  266–270