Тягинов Станислав Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1631–1635
2. Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1177–1182
3. Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  254–259
4. Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  266–270
5. Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  675–683