Брус В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  248–253
2. Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn
   
   Физика твердого тела, 59:8 (2017),  1619–1623
3. Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics
   
   Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  569
4. Оптические свойства и механизмы протекания тока в пленках Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$, полученных спрей–пиролизом
   
   Физика твердого тела, 58:5 (2016),  1024–1029
5. Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS$_{2}$, их электрические и оптические свойства
   
   Физика твердого тела, 58:1 (2016),  39–43
6. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1041–1046
7. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  339–343
8. Особенности оптических и электрических свойств поликристаллических пленок CdTe, изготовленных методом термического испарения
   
   Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1886–1890
9. Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах $n$-TiN/$p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1540–1542
10. Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1205–1208
11. Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1075–1079
12. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  926–931
13. Электрические свойства МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  504–508
14. Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура $n$-TiN/$n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  232–236
15. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$
    
    Письма в ЖТФ, 40:6 (2014),  1–6
16. Кинетические свойства тонких пленок ТiN, полученных методом реактивного магнетронного распыления
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2123–2127
17. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1185–1190
18. Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  788–792
19. Оптические свойства тонких пленок TiO$_2$–MnO$_2$, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения
    
    ЖТФ, 82:8 (2012),  110–113
20. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdZnO/$p$-CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1175–1180
21. Об импедансной спектроскопии структур с потенциальным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1035–1038
22. Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах $n$-TiO$_2$/$p$-CdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1109–1113