|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 248–253
-
Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn
Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1619–1623
-
Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 569
-
Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1041–1046
-
Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$
Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1205–1208
-
Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si
Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 788–792
© , 2026