Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1584–1592
-
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1041–1048
-
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 118–124
-
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1283–1294
-
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 869–876
© , 2026