Кудрявцев Юрий Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Получение, особенности структуры, элементный состав и диэлектрические свойства двухслойной структуры на основе тонких пленок мультиферроика BiFeO$_3$ и сегнетоэлектрика (Sr, Ba)Nb$_2$O$_6$
   
   Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1954–1959
2. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
3. Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца
   
   Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2325–2330
4. Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1189–1195
5. Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия
   
   Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  579–584
6. Взаимодействие паров воды с поверхностями силикатных стекол: масс-спектрометрическое исследование
   
   Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  75–82
7. Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
   
   Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2203–2207
8. Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем
   
   Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2160–2163
9. Распыление поверхности мишени ионами Cs$^+$: стационарная концентрация имплантированного цезия и эмиссия кластеров CsM$^+$
   
   ЖТФ, 83:5 (2013),  115–124
10. Ионное распыление многокомпонентных мишеней: изменение состава поверхности и эмиссия кластеров
    
    ЖТФ, 82:2 (2012),  90–93
11. Ионное легирование германия натрием
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  268–273
12. Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  788–793