Стручков Андрей Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  738–742
2. Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  882–887
3. Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1455–1458