Дегтярев Владимир Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1275–1278
2. Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1462–1467
3. Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  145–148
4. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  58–62
5. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  53–57
6. Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1561–1565
7. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
   
   Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1510–1514