Алябина Наталья Алексеевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  719–724
2. Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на $n^+$-Si(001)-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  839–843
3. Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1267–1270
4. Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi
   
   Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  94–101
5. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1411–1414
6. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  399–405
7. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда $p$–$n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1486–1488