Зубков Сергей Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
2. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al$_2$O$_3$/ZrO$_2$(Y)
   
   ЖТФ, 94:11 (2024),  1833–1842
3. Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  709–713
4. Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления
   
   Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  11–14
5. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1233–1236
6. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота
   
   Физика твердого тела, 60:3 (2018),  591–595
7. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
8. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
   
   ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
9. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  839–844
10. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  57–61