Абрамов Алексей Станиславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полугибкие фотоэлектрические модули на основе кремниевых HJT-ячеек
   
   ЖТФ, 94:10 (2024),  1707–1712
2. Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  516–525
3. Sensing amorphous/crystalline silicon surface passivation by attenuated total reflection infrared spectroscopy of amorphous silicon on glass
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1140
4. Исследование характеристик гетеропереходных солнечных элементов на основе тонких пластин монокристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  792–795
5. Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов
   
   Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11
6. Гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния с контактной сеткой, напечатанной на принтере методом струйной печати
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  74–79
7. Исследование фотоиндуцированной деградации в тандемных фотопреобразователях на основе $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1095–1099
8. Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263
9. Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния
   
   Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76
10. Алюмоборосиликатные стекла, содопированные редкоземельными элементами, как радиационно-защитные покрытия солнечных батарей
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  753–757
11. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  707–714
12. Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  697–706
13. Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  693–696
14. Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1264–1269
15. Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1094–1101
16. Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  667–674