Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование влияния термического отжига на фотоэлектрические свойства гетероструктур GaP/Si, полученных методом атомно-слоевого плазмохимического осаждения
Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1095–1102
-
Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 663–667
-
Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости
Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 534–538
-
Анализ электрических и оптических свойств наноразмерных пленок легированных оксидов цинка и индия, сформированных методом ВЧ-магнетронного распыления при комнатной температуре
Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 84–90
-
Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1094–1101
© , 2026