RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бугаев Александр Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Энергетические затраты при формировании упругонапряженного состояния в слоях ступенчатого метаморфного буфера в гетероструктуре, выращенной на подложке (001) GaAs

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1086–1094
  2. Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  723–728
  3. Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна

    Физика твердого тела, 59:10 (2017),  1956–1963
  4. Исследования дигидрофосфата калия методом ЯМР

    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  667–670
  5. Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  185–190
  6. Исследование MHEMT гетероструктуры c каналом In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенной методом МЛЭ на подложке GaAs, с помощью построения карт обратного пространства

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1065–1070
  7. Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935


© МИАН, 2026