Соломникова Анна Васильевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полуполярный нитрид алюминия: эпитаксия объемного материала на наноструктурированной кремниевой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 52:4 (2026),  25–28
2. Оптимизация постростовых режимов снижения температуры и давления при выращивании HPHT-кристаллов алмаза
   
   ЖТФ, 95:2 (2025),  221–231
3. Исследование влияния наноструктурированных AlN/Si(100)-темплейтов на рост полуполярных слоев AlN$(10\bar11)$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  3–7
4. Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
   
   ЖТФ, 94:6 (2024),  944–947
5. HVPE эпитаксия полуполярных AlN(10$\bar{1}$1) слоев на темплейте AlN/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  474–477
6. Морфология поверхности AlN-слоев, выращенных на наноструктурированном темплейте SiN$_x$/Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  3–6
7. Характеризация электрофизическими методами монокристаллического алмаза, легированного бором (обзор)
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  5–28
8. Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si
   
   ЖТФ, 92:5 (2022),  720–723
9. Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1006–1009