Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926
-
Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1526–1529
-
Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1581–1586
-
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1451–1454
-
Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 53–61
© , 2026