|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 493–499
-
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 708–711
-
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$–$n$-перехода
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 198–201
-
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 177–181
-
Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения
Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1238–1242
-
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1215–1220
-
Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины
Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011), 330–334
-
Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1124–1129
© , 2026