Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 485–492
-
Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K
Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 82–87
-
Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K
Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1344–1347
-
Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными квантовыми ямами
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 649–654
-
Латеральный транспорт и дальнее инфракрасное излучение электронов в гетероструктурах In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильном электрическом поле
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1543–1546
© , 2026