Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Теоретические и экспериментальные исследования микромагнитов для создания кремниевого квантового процессора
ЖТФ, 94:7 (2024), 1071–1078
-
Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
Письма в ЖТФ, 50:10 (2024), 22–25
-
Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 805–809
-
Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 456–461
-
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215
-
Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации
Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 607–611
© , 2026