RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Федин Иван Владимирович
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках
Физика и техника полупроводников
,
53
:2 (2019),
249–252
Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур
Физика и техника полупроводников
,
51
:9 (2017),
1278–1281
Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода
Физика и техника полупроводников
,
51
:2 (2017),
253–257
Формирование низкорезистивного Cu
$_{3}$
Ge cоединения при низкотемпературной обработке в потоке атомарного водорода
Физика и техника полупроводников
,
50
:9 (2016),
1258–1262
©
МИАН
, 2026