RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хрипунов Геннадий Семенович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние отжига во фреоне на кристаллическую структуру слоев теллурида кадмия и эффективность пленочных фотоэлектрических преобразователей на их основе

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  93–100
  2. Гетероструктура для обращенного диода на основе электроосажденного в импульсном режиме наномассива оксида цинка и изготовленной методом SILAR пленки иодида меди

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1081–1093
  3. Барьерная гетероструктура $n$-ZnO/$p$-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди

    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  821–829
  4. Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  348–357
  5. Управление гидрофобностью наноструктурированных слоев оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электроосаждения

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  357–368
  6. Влияние наноразмерных слоев диоксида олова на эффективность пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe

    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  406–412
  7. Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  219–229
  8. Преобразование солнечной энергии с использованием комбинации фотоэлектрических преобразователей с базовыми слоями CdTe и CuInSe$_2$

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1671–1675
  9. Электроосажденные массивы оксида цинка с эффектом глаза ночной бабочки

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  549–555
  10. Структура и свойства электроосажденных пленок и пленочных композиций для прекурсоров халькопиритных и кестеритных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  539–548
  11. Перспективы импульсного электроосаждения иерархических наноструктур оксида цинка

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1129–1136
  12. Фазовые превращения при металлизации Ag–In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов

    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  845–853
  13. Управляемый рост одномерных наноструктур оксида цинка в режиме импульсного электролиза

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  845–851
  14. Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на кпд пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1564–1570
  15. Особенности световой вольт-амперной характеристики двусторонне чувствительных солнечных элементов на основе тонких базовых слоев CdTe

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  829–832
  16. Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  801–806


© МИАН, 2026