|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Электрические и оптические свойства пленок Cu$_{2}$Zn(Fe,Mn)SnS$_{4}$, изготовленных спрей-пиролизом
ЖТФ, 88:2 (2018), 251–257
-
Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te
Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1049–1055
-
Электрические свойства гетероструктур $p$-NiO/$n$-Si на основе наноструктурированного кремния
Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 718–722
-
Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC
Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 248–253
-
Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn
Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1619–1623
-
Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu$_{2}$SnS$_{3}$, полученных золь-гель-методом
Физика твердого тела, 59:4 (2017), 783–789
-
Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362
-
Оптические свойства и механизмы протекания тока в пленках Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$, полученных спрей–пиролизом
Физика твердого тела, 58:5 (2016), 1024–1029
-
Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS$_{2}$, их электрические и оптические свойства
Физика твердого тела, 58:1 (2016), 39–43
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$
Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1041–1046
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe
Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 339–343
-
Особенности электрических и оптических свойств пленок Cu$_{2}$Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$SnS$_{4}$, полученных спрей-пиролизом
Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 27–34
-
Особенности оптических и электрических свойств поликристаллических пленок CdTe, изготовленных методом термического испарения
Физика твердого тела, 56:10 (2014), 1886–1890
-
Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах $n$-TiN/$p$-Si
Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1540–1542
-
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO/$p$-Si
Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 926–931
-
Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура $n$-TiN/$n$-Si
Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 232–236
-
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$
Письма в ЖТФ, 40:6 (2014), 1–6
-
Кинетические свойства тонких пленок ТiN, полученных методом реактивного магнетронного распыления
Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2123–2127
-
Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Si
Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1185–1190
© , 2026