Лавров Альберт Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m
   
   ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
2. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
3. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
4. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
5. Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs
   
   Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  45–52