Ременный Максим Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  112–121
2. Инфракрасный сенсор углекислого газа на основе свето- и фотодиодов из твердых растворов InAsSb(P)
   
   Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025),  1168–1171
3. Высокотемпературные фотодиоды на основе гетероструктур $n$-InAsSbP/InAs/$p$-InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  332–336
4. Длинноволновые ($\lambda_{0.1}$ = 10 $\mu$m, 296 K) инфракрасные фотоприемники на основе твердого раствора InAsSb$_{0.38}$
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1505–1508
5. К вопросу о механизмах разогрева светодиодов на основе $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  42–52
6. Микрооптопара ($\lambda$ = 3.4 $\mu$m) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО
   
   Оптика и спектроскопия, 130:8 (2022),  1223–1228
7. Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения
   
   Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197
8. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  147–157
9. Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени
   
   ЖТФ, 88:9 (2018),  1433–1438
10. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m
    
    ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
11. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
12. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
13. Вольт-амперные характеристики и сбор фототока в радиально симметричных поверхностно облучаемых фотодиодах на основе InAsSb(P)
    
    ЖТФ, 84:11 (2014),  52–57
14. $P$-InAsSbP/$n^0$-InAs/$n^+$-InAs photodiodes for operation at moderate cooling (150–220 K)
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1394–1397
15. Охлаждаемые фотодиоды на основе одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  45–52
16. Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  708–713
17. Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  258–261
18. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSb(P) с длинноволновой границей чувствительности 5.8 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  85–90
19. Пространственная неравномерность протекания тока и ее учет при определении характеристик поверхностно облучаемых фотодиодов на основе InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  554–559