Демидов Евгений Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
2. Моделирование транспортных и излучательных характеристик светоизлучающего латерального кремниевого $p^+$–$i$–$n^+$-транзистора с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками
   
   Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  242–249
3. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
4. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
5. Теоретические и экспериментальные исследования микромагнитов для создания кремниевого квантового процессора
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  1071–1078
6. Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
   
   Письма в ЖТФ, 50:10 (2024),  22–25
7. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
8. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
9. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
10. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
11. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
12. Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1459–1462
13. Влияние быстрого термического отжига на параметры арсенидгаллиевого низкобарьерного диода с приповерхностным $\delta$-легированием
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1481–1485