Трушлякова Валентина Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. 4H-SiC-фотодиоды с микронаноструктурированной поверхностью приемной области
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  43–47
2. Применение технологии реактивного ионно-плазменного травления для управления чувствительностью 4H-SiC-фотодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  997–1001
3. Определение толщин и особенностей легирования многослойных $4H$–$\mathrm{SiC}$-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  34–36
4. Неразрушающий контроль поверхности, слоев и концентрации носителей заряда в подложках и структурах SiC
   
   ЖТФ, 89:12 (2019),  1869–1874